霍尔传感器的根本原理是：假如对位于磁场中的导体施加一个电压，该磁场的方向垂直于所施加电压的方向，则在既与磁场垂直又和所施加电流方向垂直的方向上会产生另一个与磁场强度成比例关系的电压。经过检测这电压值大小就可肯定磁场的大小。 

不同状况下，霍尔器件中的导体能够选用不同的资料：在需求思索本钱的状况下，霍尔器件通常用n-type硅制造；而在高温的状况下。就需用GaAs资料制造；InAs、InSb和其它的半导体资料具有高电子迁移率的特性，这使得它们具有比硅霍尔器件通常10～20 kHz更高的灵活度和频率响应才能，通常用于制造高灵活度和高频响霍尔器件。此外，由于霍尔传感器通常和其它一些半导体构造一同集成运用，霍尔器件资料和半导体基体的兼容性也显得十分重要。倡议选用钐钴磁铁做传感器由于钐钴耐高温磁铁的耐温性能十分好耐温可达350度。